类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | TDSON-8 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-Channel |
功耗 | 78 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
上升时间 | 24 ns |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @50V(Vds) |
下降时间 | 4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 78 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5.35 mm |
宽度 | 6.1 mm |
高度 | 1.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON BSC265N10LSFGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.85 V 新
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Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor
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