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BSC600N25NS3GATMA1
来自 AiPCBA

BSC600N25NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON
描述:INFINEON  BSC600N25NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:BSC600N25NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSC600N25NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSC600N25NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON
额定功率125 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.05 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)250 V
连续漏极电流(Ids)25A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)1770pF @100V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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BSC600N25NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.1 mm
宽度5.35 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSC600N25NS3GATMA1 数据手册

BSC600N25NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.47 MByte
BSC600N25NS3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSC600N25NS3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSC600N25NS3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON  BSC600N25NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
BSC600N25NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSC600N25NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
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