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BSD223P
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BSD223P 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
PDF文件:BSD223P 数据手册 (8 页)
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BSD223P 数据手册 (8 页)
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BSD223P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-350 mA
封装SOT-363-6
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)390 mA
上升时间5.00 ns
输入电容值(Ciss)56pF @15V(Vds)
额定功率(Max)250 mW
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BSD223P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSD223P 数据手册

BSD223P 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.09 MByte
BSD223P 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSD223P 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSD223P 开发手册
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37 页 / 2.01 MByte

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