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BSD235C H6327
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BSD235C H6327 数据手册 (13 页)
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BSD235C H6327 技术参数、封装参数

BSD235C H6327 外形尺寸、物理参数、其它

BSD235C H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BSD235 数据手册

Infineon(英飞凌)
N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号 晶体管-SOT-363
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XTSA1, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSD235C H6327  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSD235N H6327 SOT-363
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS ™ 2 +的OptiMOS ™ -P 2小信号晶体管 OptiMOS™ 2 + OptiMOS™-P 2 Small Signal Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
20/20V,1200/350mΩ,-0.53/0.95A,P/N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
20/-20V,0.96/-0.53A,N/P沟道功率MOSFET
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