| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 0.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 输入电容值(Ciss) | 47pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1.10 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号 晶体管-SOT-363
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XTSA1, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSD235C H6327 场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSD235N H6327 SOT-363
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
的OptiMOS ™ 2 +的OptiMOS ™ -P 2小信号晶体管 OptiMOS™ 2 + OptiMOS™-P 2 Small Signal Transistor
Infineon（英飞凌）
20/20V,1200/350mΩ,-0.53/0.95A,P/N沟道小信号MOSFET
Infineon（英飞凌）
20/-20V,0.96/-0.53A,N/P沟道功率MOSFET
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