| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.266 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.95A/0.53A |
| 输入电容值(Ciss) | 47pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.5 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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19 页 / 0.88 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSD235C H6327 场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6
Infineon（英飞凌）
20/20V,1200/350mΩ,-0.53/0.95A,P/N沟道小信号MOSFET
Infineon（英飞凌）
N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号 晶体管-SOT-363
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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