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BSG0811ND
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BSG0811ND 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TISON-8
描述:场效应管(MOSFET) BSG0811ND TISON8-4-EP(6x5)
PDF文件:BSG0811ND 数据手册 (14 页)封装尺寸在12 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BSG0811ND 数据手册 (14 页)
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BSG0811ND 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TISON-8
极性N-CH
功耗6.25 W
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)31A/50A
输入电容值(Ciss)1100pF @12V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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BSG0811ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6 mm
宽度5 mm
高度1.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSG0811ND 数据手册

BSG0811ND 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.37 MByte
BSG0811ND 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSG0811ND 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSG0811ND 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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