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BSG0811NDATMA1
来自 AiPCBA

BSG0811NDATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TISON-8
描述:BSG0811ND 系列 25 V 3/0.8 mOhm Dual N沟道 OptiMOS™ 功率-晶体管-PG-TISON8-4
PDF文件:BSG0811NDATMA1 数据手册 (15 页)封装尺寸在13 页
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焊盘图
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BSG0811NDATMA1 数据手册 (15 页)
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BSG0811NDATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TISON-8
额定功率6.25 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0024 Ω
极性N-CH
功耗6.25 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)31A/50A
输入电容值(Ciss)1100pF @12V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)6250 mW
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BSG0811NDATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSG0811NDATMA1 数据手册

BSG0811NDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 0.67 MByte
BSG0811NDATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSG0811NDATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSG0811NDATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
BSG0811NDATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.19 MByte

BSG0811 数据手册

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BSG0811ND 系列 25 V 3/0.8 mOhm Dual N沟道 OptiMOS™ 功率-晶体管-PG-TISON8-4
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