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BSH111,215
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BSH111,215 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:NXP  BSH111,215.  场效应管, MOSFET, N沟道
PDF文件:BSH111,215 数据手册 (14 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在11 页
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BSH111,215 数据手册 (14 页)
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BSH111,215 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻2.3 Ω
极性N-Channel
功耗830 mW
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)335 mA
输入电容值(Ciss)40pF @10V(Vds)
额定功率(Max)830 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)830 mW
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BSH111,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3 mm
宽度1.4 mm
高度1 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSH111,215 数据手册

BSH111,215 数据手册
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.36 MByte
BSH111,215 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
39 页 / 0.75 MByte
BSH111,215 产品修订记录
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
BSH111,215 其他参考文件
NXP（恩智浦）
1 页 / 0.13 MByte
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