| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | 34MM |
| 功耗 | 835 W |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 94 mm |
| 宽度 | 34 mm |
| 高度 | 30.5 mm |
Infineon（英飞凌）
143 页 / 8.51 MByte
Infineon（英飞凌）
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IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
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Siemens Semiconductor（西门子）
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