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BSM120D12P2C005
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BSM120D12P2C005 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:Module
描述:ROHM  BSM120D12P2C005  单晶体管 双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V
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BSM120D12P2C005 数据手册 (11 页)
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BSM120D12P2C005 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数10 Pin
封装Module
通道数1 Channel
极性N-Channel
功耗780 W
阈值电压2.7 V
漏源极电压(Vds)1.2 kV
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)14000pF @10V(Vds)
额定功率(Max)780 W
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)935000 mW
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BSM120D12P2C005 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
长度122 mm
宽度45.6 mm
高度21.1 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
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BSM120D12P2C005 数据手册

BSM120D12P2C005 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
11 页 / 0.69 MByte
BSM120D12P2C005 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
33 页 / 6.15 MByte
BSM120D12P2C005 开发手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
41 页 / 0.88 MByte
BSM120D12P2C005 产品描述及参数
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.24 MByte
BSM120D12P2C005 产品修订记录
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2 页 / 0.16 MByte

BSM120D12P2 数据手册

BSM120D12P2C005 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM  BSM120D12P2C005  单晶体管 双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V
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