| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 62 Pin |
| 封装 | Module |
| 功耗 | 1.4 kW |
| 上升时间 | 160 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 106.4 mm |
| 宽度 | 61.4 mm |
| 高度 | 30 mm |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
IGBT功率模块（低损耗IGBT的低电感半桥包括快速续流二极管） IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
IGBT功率模块（低损耗IGBT的低电感半桥包括快速续流二极管） IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
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