Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor（罗姆半导体） > BSM300D12P2E001 Datasheet 文档
BSM300D12P2E001
来自 AiPCBA

BSM300D12P2E001 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:Module
描述:2个N沟道(半桥) 1.2kV 300A
PDF文件:BSM300D12P2E001 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

BSM300D12P2E001 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数10 Pin
封装Module
极性N-CH
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)300A
上升时间70 ns
输入电容值(Ciss)35000pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1875 W
下降时间65 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)1875000 mW
查看数据手册 >

BSM300D12P2E001 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BSM300D12P2E001 数据手册

BSM300D12P2E001 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
10 页 / 0.96 MByte
BSM300D12P2E001 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
11 页 / 1.15 MByte

BSM300D12P2 数据手册

BSM300D12P2E001 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2个N沟道(半桥) 1.2kV 300A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet