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BSM30GP60
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BSM30GP60 技术参数、封装参数

BSM30GP60 外形尺寸、物理参数、其它

BSM30GP60 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.15 MByte

BSM30 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2个N沟道(半桥) 1.2kV 300A
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
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IGBT 模块 600V 300A DUAL
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