类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Solder |
引脚数 | 17 Pin |
封装 | EconoPACK |
针脚数 | 17 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 350 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
输入电容值(Cies) | 3.3nF @25V |
额定功率(Max) | 350 W |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
142 页 / 8.44 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSM50GD120DN2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
IGBT的功率模块(电源模块3相全桥包括快速续流二极管封装,带有绝缘金属基板) IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)
Infineon(英飞凌)
IGBT的功率模块(电源模块3相全桥包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
Siemens Semiconductor(西门子)
Siemens Semiconductor(西门子)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件