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BSM75GB120DN2
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BSM75GB120DN2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:34MM-1
描述:IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
PDF文件:BSM75GB120DN2 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页
典型应用电路图在9 页
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焊盘图
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BSM75GB120DN2 数据手册 (11 页)
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BSM75GB120DN2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数7 Pin
封装34MM-1
额定功率625 W
功耗625 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)625000 mW
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BSM75GB120DN2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Design
包装方式Tape & Reel (TR)
长度94 mm
宽度34 mm
高度30.5 mm
工作温度-40℃ ~ 125℃
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BSM75GB120DN2 数据手册

BSM75GB120DN2 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.23 MByte
BSM75GB120DN2 其他数据使用手册
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