| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 120 mA |
| 封装 | SOT-223-4 |
| 功耗 | 1.8W (Ta) |
| 输入电容 | 150 pF |
| 栅电荷 | 6.60 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 150pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.08 MByte
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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600V,45000mΩ,0.12A,N沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP125 L6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V
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