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BSP125H6327XTSA1
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BSP125H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-223-4
描述:Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSP125H6327XTSA1 数据手册 (8 页)
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BSP125H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-223-4
额定功率1.8 W
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻25 Ω
极性N-Channel
功耗1.8 W
阈值电压1.9 V
输入电容100 pF
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)0.12A
上升时间14.4 ns
输入电容值(Ciss)150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
下降时间110 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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BSP125H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSP125H6327XTSA1 数据手册

BSP125H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.51 MByte
BSP125H6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSP125H6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSP125H6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte
BSP125H6327XTSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

BSP125H6327 数据手册

BSP125H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,45000mΩ,0.12A,N沟道功率MOSFET
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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