| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-223 |
| 输入电容值(Ciss) | 100pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 250V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 375mA/0.375A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.005Ω/Ohm @300mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor •Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. 描述与应用| N沟道增强模式 垂直D-MOS晶体管 •直接连接到C-MOS，TTL等 •高速开关 •无二次击穿
NXP（恩智浦）
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