类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 1.10 A |
封装 | SOT-223-4 |
功耗 | 1.8W (Ta) |
输入电容 | 146 pF |
栅电荷 | 4.90 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 120 mA |
上升时间 | 5.6 ns |
输入电容值(Ciss) | 146pF @25V(Vds) |
下降时间 | 182 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
Infineon(英飞凌)
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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INFINEON BSP135H6327XTSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
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