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BSP149H6327XTSA1
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BSP149H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223
PDF文件:BSP149H6327XTSA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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BSP149H6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSP149H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
额定功率1.8 W
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻1 Ω
极性N-CH
功耗1.8 W
阈值电压1.4 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)0.66A
上升时间3.4 ns
输入电容值(Ciss)430pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
下降时间21 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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BSP149H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSP149H6327XTSA1 数据手册

BSP149H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.38 MByte
BSP149H6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSP149H6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSP149H6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte

BSP149H6327 数据手册

BSP149 H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 200V 660mA
BSP149H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223
BSP149H6327XTSA1 数据手册
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