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BSP170PE6327T
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BSP170PE6327T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-223-4
描述:SIPMOSà ？小信号三极管 SIPMOS® Small-Signal-Transistor
PDF文件:BSP170PE6327T 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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BSP170PE6327T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-1.90 A
封装SOT-223-4
极性P-CH
功耗1.8W (Ta)
输入电容410 pF
栅电荷16.0 nC
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)1.90 A
上升时间28.0 ns
输入电容值(Ciss)410pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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BSP170PE6327T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSP170PE6327T 数据手册

BSP170PE6327T 数据手册
Infineon（英飞凌）
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