类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-223-4 |
额定功率 | 1.8 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 239 mΩ |
极性 | P-CH |
功耗 | 1.8 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.9A |
上升时间 | 28 ns |
输入电容值(Ciss) | 410pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.8 W |
下降时间 | 60 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
●· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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60V,300mΩ,-1.9A,P沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSP170P H6327 SOT-223-4
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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