| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 400 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.8 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.45 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 365pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 87 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.21Ω @-1.9A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.8W Description & Applications| Features • P-Channel • Enhancement mode • Logic level • Avalanche rated • dv /dt rated 描述与应用| •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •额定雪崩 •dv / dt的额定
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Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平额定雪崩） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V
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