类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -1.90 A |
封装 | SOT-223-4 |
功耗 | 1.8W (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.90 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 460pF @25V(Vds) |
下降时间 | 87 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 60 V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号晶体管(P沟道增强模式的逻辑电平额定雪崩) SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSP171P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSP171P H6327 PG-SOT223-4
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSP171P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V
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