| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -1.90 A |
| 封装 | TO-261 |
| 额定功率 | 1.6 W |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.50 W |
| 输入电容 | 460 pF |
| 栅电荷 | 1.60 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.90 A |
| 输入电容值(Ciss) | 460pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平额定雪崩） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSP171P H6327 PG-SOT223-4
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V
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