BSP19 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 400V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 350V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 70MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES High VCEO=350V Low saturation voltage COMPLEMENTARY TYPE – BSP16 描述与应用| SOT223 NPN硅平面高压晶体管 特点 高VCEO=350V 低饱和电压 互补型 BSP16