类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-223 |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.225A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -250V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.225A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 10Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| FEATURES • Very low RDS(on) • Direct interface to C-MOS, TTL, • High-speed switching • No secondary breakdown 描述与应用| •非常低的RDS(on) •直接连接C-MOS,TTL, •高速开关 •无二次击穿
NXP(恩智浦)
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