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BSP295H6327XTSA1
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BSP295H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-223-4
描述:Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
PDF文件:BSP295H6327XTSA1 数据手册 (8 页)
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BSP295H6327XTSA1 数据手册 (8 页)
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BSP295H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-223-4
额定功率1.8 W
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻0.22 Ω
极性N-CH
功耗1.8 W
阈值电压1.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)1.8A
上升时间9.9 ns
输入电容值(Ciss)368pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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BSP295H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSP295H6327XTSA1 数据手册

BSP295H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.43 MByte
BSP295H6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSP295H6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSP295H6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte

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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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