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BSP297H6327XTSA1

来自 AiPCBA

BSP297H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	SOT-223-4
描述:	Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
PDF文件:	BSP297H6327XTSA1 数据手册 (8 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

BSP297H6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BSP297H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	4 Pin
封装	SOT-223-4
额定功率	1.8 W
针脚数	4 Position
漏源极电阻	1 Ω
极性	N-CH
功耗	1.8 W
阈值电压	1.4 V
漏源极电压(Vds)	200 V
连续漏极电流(Ids)	0.66A
上升时间	3.8 ns
输入电容值(Ciss)	357pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	1.8 W
下降时间	19 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1.8W (Ta)

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BSP297H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.5 mm
宽度	3.5 mm
高度	1.6 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP297H6327XTSA1 符合标准

BSP297H6327XTSA1 概述

BSP297H6327XTSA1 数据手册

BSP297H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.56 MByte

BSP297H6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSP297H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSP297H6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

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Infineon（英飞凌）

BSP297H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

200V,1800mΩ,0.66A,N沟道小信号MOSFET

BSP297H6327XTSA1 数据手册

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