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BSP315P H6327
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BSP315P H6327 数据手册 (9 页)
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BSP315P H6327 技术参数、封装参数

BSP315P H6327 外形尺寸、物理参数、其它

BSP315P H6327 数据手册

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BSP315 数据手册

Siemens Semiconductor(西门子)
P沟道 50V 1A
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号晶体管(P沟道增强模式的逻辑电平) SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP315P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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