| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 160pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1800 mW |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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INFINEON BSP315P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
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