| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -680 mA |
| 封装 | SOT-223-4 |
| 功耗 | 1.8W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 680 mA |
| 上升时间 | 7.50 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 146pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 100 V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
BSP316 P沟道MOS场效应管 -100V 650mA 1.4ohm SOT-223 marking/标记 BSP316
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Infineon（英飞凌）
P-沟道 100 V 0.68 A 1.8 Ω 5.1 nC SipMOS 小信号 晶体管 - SOT-223
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP316P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -680 mA, -100 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号三极管特性 SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature
Infineon（英飞凌）
100V,1800mΩ,-0.68A,P沟道小信号MOSFET
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