BSP316PH6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

BSP316 P沟道MOS场效应管 -100V 650mA 1.4ohm SOT-223 marking/标记 BSP316

SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

P-沟道 100 V 0.68 A 1.8 Ω 5.1 nC SipMOS 小信号 晶体管 - SOT-223

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

INFINEON  BSP316P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -680 mA, -100 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

100V,-0.68A,P沟道功率MOSFET

SIPMOS小信号三极管特性 SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature

100V,1800mΩ,-0.68A,P沟道小信号MOSFET