| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -680 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 1.4 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.8 W |
| 输入电容 | 146 pF |
| 栅电荷 | 6.40 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 680 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 146pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
BSP316 P沟道MOS场效应管 -100V 650mA 1.4ohm SOT-223 marking/标记 BSP316
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SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
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Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP316P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -680 mA, -100 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
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SIPMOS小信号三极管特性 SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature
Infineon（英飞凌）
100V,1800mΩ,-0.68A,P沟道小信号MOSFET
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