BSP317PH6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

INFINEON  BSP317PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

INFINEON  BSP317P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON  BSP317P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON  BSP317PL6327  晶体管, MOSFET, P沟道, 370 mA, -200 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V