| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 3 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.8 W |
| 上升时间 | 11.1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 210pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 67 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317PL6327 晶体管, MOSFET, P沟道, 370 mA, -200 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
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