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BSP51,115
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BSP51,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
描述:NXP  BSP51,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
PDF文件:BSP51,115 数据手册 (7 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在5 页
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BSP51,115 数据手册 (7 页)
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BSP51,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-261-4
针脚数3 Position
极性NPN
功耗1.25 W
击穿电压(集电极-发射极)60 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数2000 @500mA, 10V
额定功率(Max)1.25 W
直流电流增益(hFE)2000
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
增益带宽200 MHz
耗散功率(Max)1250 mW
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BSP51,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.7 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BSP51,115 数据手册

BSP51,115 数据手册
NXP（恩智浦）
7 页 / 0.11 MByte
BSP51,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
BSP51,115 产品修订记录
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
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