| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 输出电压 | 80 V |
| 输出电流 | 1 A |
| 电路数 | 4 Circuit |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 800 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 热阻 | 156℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 2000 @500mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 输入电压 | 5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.57 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
中功率NPN硅达林顿晶体管表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor
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