类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-223 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.2 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.7 W |
阈值电压 | 1.4 V |
漏源极电压(Vds) | 240 V |
连续漏极电流(Ids) | 360 mA |
上升时间 | 3.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 80pF @25V(Vds) |
下降时间 | 3.5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 1800 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 240V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 350mA/0.35A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 4.9Ω/Ohm 350mA,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.8W Description & Applications| Smart Lowside Power Switch N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated •Pb-free lead plating; RoHS compliant • ee lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 描述与应用| 低端智能电源开关 N沟道 增强模式 逻辑电平 dv / dt的额定 •无铅引脚电镀,符合RoHS •EE镀铅,符合RoHS标准 符合AEC Q101
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