| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -250 V |
| 额定电流 | -260 mA |
| 封装 | TO-261 |
| 极性 | P-Channel |
| 输入电容 | 45.0 pF |
| 栅电荷 | 1.50 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 230 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 104pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.4 MByte
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SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP92P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -260 mA, -250 V, 7.5 ohm, -10 V, -1.5 V
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