类型 | 描述 |
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封装 | SOT-23 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 140 V |
集电极最大允许电流 | 0.3A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 140V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| • NPN high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. 描述与应用| •NPN高压晶体管 特点 •低电流(最大300毫安) •高电压(最大160 V)。 应用 •通用开关和放大 •专门用于电话应用。
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