BSR31 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −70V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.4W Description & Applications| PNP medium power transistors FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 描述与应用| PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •电话和一般工业应用 •厚薄膜电路。