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BSR316PH6327XTSA1
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BSR316PH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:INFINEON  BSR316PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新
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BSR316PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSR316PH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻1.3 Ω
极性P-Channel
功耗500 mW
阈值电压1.5 V
输入电容124 pF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)0.36A
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)165pF @25V(Vds)
下降时间26 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500mW (Tc)
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BSR316PH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3 mm
宽度1.6 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSR316PH6327XTSA1 数据手册

BSR316PH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.47 MByte
BSR316PH6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSR316PH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSR316PH6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON  BSR316PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新
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