| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.017 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 550 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.7A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1013pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.1 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.4 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSR802N L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 2.5 V, 550 mV
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-346 (SC-59)封装
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