| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.2 Ω |
| 功耗 | 360 mW |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 73pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 360 mW |
| 下降时间 | 2.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 100V 最大漏极电流Id Drain Current| 170mA/0.17A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.4Ω/Ohm @1.7A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. 描述与应用| N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 BSS100：0.22A，100V。RDS（ON）=6W@ VGS= 10V。 BSS123：0.17A，100V。 RDS（ON）=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 电压控制小信号开关。 坚固,可靠
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