类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 170 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 6 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 mW |
阈值电压 | 2.2 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 170 mA |
上升时间 | 8 ns |
正向电压(Max) | 1.3 V |
输入电容值(Ciss) | 20pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 360 mW |
下降时间 | 16 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 360mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
4 页 / 0.02 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.49 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
SLKOR(韩国萨科微)
SOT-23 P=250mW N沟道 Ciss=14pF
Siemens Semiconductor(西门子)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,100V 及更高,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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