类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 80 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 1.25 W |
阈值电压 | 4.5 V |
输入电容 | 21.8 pF |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.07A |
上升时间 | 7.2 ns |
正向电压(Max) | 1.5 V |
输入电容值(Ciss) | 21.8pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 610 mW |
下降时间 | 168 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 610mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS127H6327XTSA2 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
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