| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.3 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.4 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 输入电容 | 50.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.5Ω/Ohm @220mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 描述与应用| N沟道增强型场效应 晶体管 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏
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N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
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N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
Multicomp
MULTICOMP BSS138-7-F 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 1.4Ω, 200mA, SOT-23-3
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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