| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.225 W |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 输入电容 | 40pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Low Threshold Voltage (VGS(th) :0.5 V−1.5 V) Makes it Ideal for Low Voltage Applications •Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 功率MOSFET 200毫安，50 V N沟道SOT-23 典型的应用是DC-DC转换器，电源管理 便携式和电池供电产品，如电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话。 低阈值电压（VGS（TH） ：0.5 V-1.5 V）使得它非常适合 低电压应用 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板间 •无铅包可用
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ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
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