| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.17 Ω |
| 功耗 | 0.34 W |
| 阈值电压 | 1.3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 上升时间 | 1.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 38pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 340 mW |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 340 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V
SLKOR（韩国萨科微）
类型：N沟道 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 漏源电压（Vdss）：50V 导通电阻：3.5Ω 功率（Ta=25°C）：400mW
Zetex
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
Infineon（英飞凌）
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
Siemens Semiconductor（西门子）
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1
National Semiconductor（美国国家半导体）
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